化合物半导体数字器件的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。（)

A、又称为互补金属氧化物半导体

B、集成度高、制造工艺成熟

C、成品率低、能耗低

D、在追求高像素、大画幅等方面比CCD好

A. 下电极、上电极、串联

B. 上电极、下电极、串联

C. 下电极、上电极、并联

D. 上电极、下电极、并联

A、砷化镓

B、氮化硅

C、InP

D、硅

A. 元素半导体

B. 非元素半导体

C. 单一半导体

D. 化合物半导体

E. 混合物半导体

A、光电子器件

B、集成电路

C、分立器件

D、传感器

A. 通态损耗

B. 开通损耗

C. 断态损耗

D. 关断损耗

E. 开关损耗