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[单选题]

在C═C键中,π电子云绕分子轴旋转,当分子与外磁场平行时,质子处于屏蔽区,因此__;醛基中的质子处于屏蔽区,__。

A.移向高场;移向高场

B.移向高场;移向低场

C.移向低场;移向低场

D.移向低场;移向高场

提问人:网友jie1115 发布时间:2022-01-07
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匿名网友 选择了C
[51.***.***.238] 1天前
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[94.***.***.154] 1天前
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[8.***.***.87] 1天前
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[157.***.***.172] 1天前
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[110.***.***.147] 1天前
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第1题
当氢核处于磁场中时,在外加磁场的作用下,电子的运动产生感应磁场,其方向与外加磁场方向______,因而外围电子
云起到______的作用,这种作用称为______。若某种影响使质子周围电子云密度降低,则屏蔽效应______,去屏蔽______,化学位移值______,移向______。
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第2题
在外磁场中,绕核旋转的电子产生的感应磁场是与外磁场方向相反的,因此质子周围的电子云密度越高,屏蔽效应就越大,核磁共振就发生在较高场,化学位移值__。(填增大或减小)
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第3题
在磁场中质子周围电子云起屏蔽作用,以下说法正确的是()

A.质子周围电子云密度越大,则局部屏蔽作用越强

B.质子邻近原子电负性越大,则局部屏蔽作用越强

C.屏蔽越大,共振磁场越高

D.屏蔽越大,化学位移δ越小

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第4题
下列说法正确的是 ()

A.环状烯烃会形成环流效应,在环内产生去屏蔽区,在环外产生屏蔽区。

B.炔氢处于C≡C键轴方向,受到强烈的去屏蔽效应,因此相对烯氢在低场出峰。

C.环状烯烃会形成环流效应,在环内产生屏蔽区,在环外产生去屏蔽区。

D.炔氢的C≡C键轴方向,受到强烈的去屏蔽效应,因此相对烯氢在高场出峰。

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第5题
CH3CH2Cl的NMR谱,以下几种预测正确的是( )。

A.CH2中质子比CH3中质子共振磁场高

B.CH2中质子比CH3中质子共振频率高

C.CH2中质子比CH3中质子屏蔽常数大

D.CH2中质子比CH3中质子外围电子云密度小

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第6题
若某种影响使质子周围电子云密度升高,则屏蔽效应也增加,化学位移值减小,移向高场,峰向左移动。()

若某种影响使质子周围电子云密度升高,则屏蔽效应也增加,化学位移值减小,移向高场,峰向左移动。( )

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第7题
乙烯质子的化学位移值(δ)比乙炔质子的化学位移值大还是小,其原因是()

A.大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区

B.大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区

C.小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区

D.小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区

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第8题
乙烯质子的相对化学位移δ比乙炔质子的相对化学位移值大还是小及其原因以下说法正确的是______。

A.大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区;

B.大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区;

C.小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区;

D.小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区。

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第9题
乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大,主要原因是______。

A.由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区

B.由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区

C.由于磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区

D.由于磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区

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第10题
质子周围电子云密度越大,局部屏蔽作用越强。()

质子周围电子云密度越大,局部屏蔽作用越强。( )

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