【判断题】以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SBD，简称为肖特基二极管。

A.快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管

B.肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管

C.快恢复二极管的正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。

D.肖特基二极管具有正向压降低、反向恢复时间很短,而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合

A.给半导体器件接出金属引线

B.制作肖特基势垒二极管

C.制作PN结二极管

D.制作晶体管

A.给半导体器件接出金属引线

B.制作肖特基势垒二极管

C.制作PN结二极管

D.制作晶体管

A.不变

B.增加

C.减小

D.无法确定

A.金属-氧化物接触中，氧化物中靠近金属的区域

B.金属-半导体接触中，半导体中靠近金属的区域

C.P型半导体-N型半导体接触时产生的结区

D.金属-氧化物-半导体接触中，半导体中靠近氧化物的区域

A.制作肖特基势垒二极管

B.制作PN结二极管

C.给半导体器件接出金属引线

D.制作晶体管

A.制作肖特基势垒二极管

B.制作PN结二极管

C.给半导体器件接出金属引线

D.制作晶体管

A.不变

B.增加

C.减小

D.不能确定