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[单选题]
若一导线宽为W，高为H，则对于较大的W/H，边缘场电容模型中的总电容可以近似为 ，而当W/H小于1.5时，总电容中占主要部分的是 。
A.平板电容；边缘电容
B.接地电容；边缘电容
C.边缘电容；平板电容
D.平板电容；接地电容
提问人：网友jk0000000
发布时间：2022-01-06
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A.总容抗小于10Ω
B.总电容大于10F
C.总容抗XC＝15Ω
D.总容抗XC＝3.33Ω
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第2题
下面关于导线模型的说法错误的是：
A.当分析导线的寄生效应时，先把每段导线的总导线电阻集总成一个电阻R，然后把总的电容合并成一个电容C，把这样的简单模型称为集总RC模型。
B.对于短互连线的寄生效应来说，使用集总模型不再精确，因此比较合适的方法是用分布rc模型来代替。
C.若一个集总模型导线的总电阻为R，总电容为C，则该电路的传播延时（电压从0变化到50%）等于0.69RC。
D.若一个分布模型导线的总电阻为R，总电容为C，则该电路的传播延时（电压从0变化到50%）等于0.38RC。
第5题
以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG＜0时，以下说法正确的是（)。
A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
第6题
若两个电容C1＞C2串联，则总电容为（)。A.C1+C2B.C1-C2C.C1×C2/（C1+C2)D.（C1+C2)/（C1×C2)
若两个电容C1＞C2串联，则总电容为()。
A.C1+C2
B.C1-C2
C.C1×C2/(C1+C2)
D.(C1+C2)/(C1×C2)
第8题
以衬底为p型的理想MOS结构为例，当外加电压VG＜0时，以下说法正确的是（）。＜br＞ A、负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B、负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C、当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D、当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
