IC的中文全称是（）

B、短串联重复序列

C、反向重复序列

D、散布重复序列

A、NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。

B、NMOS器件的源漏对称

C、NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通

D、NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开

A、饱和区

B、线性区

C、截止区

D、深线性区

A、当VGS > VTH，并且0 < VDS < VGS－VTH时，NMOS器件工作在线性区

B、当VGS < VTH时，NMOS器件工作在截止区

C、当VGS >VTH，VDS >VGS - VTH时，NMOS器件工作在饱和区

D、当当VGS < VTH时，且0 < VDS < VGS－VTH时，NMOS器件工作在深线性区

A、工作在饱和区的NMOS器件可用作电流源

B、工作在饱和区的PMOS器件可用作电流源

C、当MOS器件的沟道被夹断时，MOS器件截止

D、当VGS >VTH，VDS >VGS - VTH时，NMOS器件的沟道被夹断

A、MOS器件具有高输入阻抗

B、MOS提供载流子的端口为漏，接受载流子的端口为源

C、NMOS器件的衬底接地，PMOS器件衬底接VDD

D、工作状态的MOS管所有pn结必须反偏（或零偏）

A、L是器件的沟道长度，W是器件的宽度

B、tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定

C、一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

D、一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox

A、

B、

C、

D、