题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

F-R源增殖模型中，卷曲的位错相互靠近产生增殖时，主要是因为（）

A.位错的应变能

B.位错的线张力

C.异号位错的相互吸引

D.同号位错的相互吸引

提问人：网友Jikelly 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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更多“F-R源增殖模型中，卷曲的位错相互靠近产生增殖时，主要是因为…”相关的问题

第1题

同一种相应该具有的特征为（）A、同一聚焦状态B、同一晶...

同一种相应该具有的特征为（）

A、同一聚焦状态

B、同一晶体结构

C、同样的性质

D、以界面隔开的均匀组成部分

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第2题

固溶体的溶解度大小的影响因素有A、晶体结构B、原子尺寸...

固溶体的溶解度大小的影响因素有

A、晶体结构

B、原子尺寸

C、电负性

D、原子价

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第3题

位错的滑移面是由（）和（）决定的平面。A、位错线B、伯氏...

位错的滑移面是由（）和（）决定的平面。

A、位错线

B、伯氏矢量

C、滑移方向

D、外加切应力方向

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第4题

一个位错b1要分解为两个位错b2和b3必须满足的条件是（）。

A、b1=b2+b3

B、b1+b2=b3

C、|b1|^2>|b2|^2+|b3|^2

D、|b1|>|b2|+|b3|

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第5题

根据晶带定律，晶带轴[u v w]和该晶带的晶面（h k l）存在hu+kv+lw=1的关系。

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第6题

γ-Fe与α-Fe都是纯铁，它们属于同一种相。

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第7题

在正应力的作用下，位错能进行滑移。

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第8题

γ-Fe向α-Fe转变的过程中，体积会膨胀。

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第9题

无论是什么类型的位错，移出晶体表面后，只能产生伯氏矢量大小的台阶。

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第10题

位错的应变能包括位错中心的畸变能及周边区域的弹性应变能，其中后者占90%以上。

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