不同结构的门电路连接时需要考虑匹配问题。当 TTL 驱动 CMOS 电路时,主要需要考虑的匹配是 ()。
A.电压匹配
B.电流匹配
C.电阻匹配
D.电容匹配
E.电感匹配
F.电压匹配
A.电压匹配
B.电流匹配
C.电阻匹配
D.电容匹配
E.电感匹配
F.电压匹配
A.VOH(min)≥VIH(min)B.VOL(max)≤VIL(max)
C.IOH(max)≥IIH(max)D.IOL(max)≥IIL(max)
A.VOH(min)≥VIH(min)B.VOL(max)≤VIL(max)
C.IOH(max)≥IIH(max)D.IOL(max)≥IIL(max)
A、驱动门的VOH(min)≤负载门的VIH(min) 驱动门的VOL(max)≤负载门的VIL(max) 驱动门的IOH(max)≥负载门的IIH(总) 驱动门的IOL(max)≥负载门的IIL(总)
B、驱动门的VOH(min)≥负载门的VIH(min) 驱动门的VOL(max)≤负载门的VIL(max) 驱动门的IOH(max)≥负载门的IIH(总) 驱动门的IOL(max)≥负载门的IIL(总)
C、驱动门的VOH(min)≥负载门的VIH(min) 驱动门的VOL(max)≤负载门的VIL(max) 驱动门的IOH(max)≤负载门的IIH(总) 驱动门的IOL(max)≥负载门的IIL(总)
D、驱动门的VOH(min)≥负载门的VIH(min) 驱动门的VOL(max)≤负载门的VIL(max) 驱动门的IOH(max)≥负载门的IIH(总) 驱动门的IOL(max)≤负载门的IIL(总)
A、MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP
B、下级电路的输入电容Cin
C、MOS管的结电容
D、互连线引起的寄生电容Cl
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