简述由CMOS反相器构成的SRAM的读写/工作原理。...

【单选题】CMOS反相器构成的方波振荡电路是由（)个CMOS反相器串联构成的方波振荡器。

由CMOS反相器构成的施密特触发器如下图所示，已知反相器的供电电压，，CMOS反相器的阈值电压

A.3.75V，1.25V

B.1.25V，3.75V

C.7.5V，-2.5V

D.-2.5V，7.5V

由CMOS反相器构成的施密特触发器如下图所示，已知反相器的供电电压，，CMOS反相器的阈值电压。试分析电路的阈值电压，。

由串级反相器构成的环形振荡器产生具有固有振荡频率的波形，该频率由一个CMOS工艺反相器的延时决定。

CMOS反相器和 是构成复杂CMOS逻辑电路的两种基本模块。

常将CMOS与门和反相器组合，构成各种复杂的逻辑电路。

下列关于DRAM和SRAM的说法中，错误的是______。 Ⅰ．SRAM不是易失性存储器，而DRAM是易失性存储器 Ⅱ．DRAM比SRAM集成度更高，因此读写速度也更快 Ⅲ．主存只能由DRAM构成，而高速缓存只能由SRAM构成 Ⅳ．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，因此功耗较高

下列关于DRAM和SRAM的说法中，错误的是______。 Ⅰ．SRAM不是易失性存储器，而DRAM是易失性存储器 Ⅱ．DRAM比SRAM集成度更高，因此读写速度也更快 Ⅲ．主存只能由DRAM构成，而高速缓存只能由SRAM构成 Ⅳ．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，所以功耗较高

【判断题】由于CMOS反相器的噪声容限一般大于TTL反相器的噪声容限，所以CMOS反相器的抗干扰能力强。

【判断题】CMOS反相器的转折电压为[图]。...