题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。

A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态

B. 晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区

C. 晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示

D. 晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态

提问人：网友Wonchifu 发布时间：2022-01-06

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第1题

请标出下面元件的简称：绝缘栅双极型晶体管。

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第2题

绝缘栅双极型晶体管简称（)。A.MOSFETB.IGBTC.GTRD.GTO

绝缘栅双极型晶体管简称()。

A.MOSFET

B.IGBT

C.GTR

D.GTO

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第3题

A.['['

B.

C. ',false]

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第4题

请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT是和的复合管。

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第5题

请在空格内标出下面元件的英文大写简称：电力晶体管　；可关断晶闸管　；功率场效应晶体管　　；绝缘栅双极型晶体管　；IGBT是和的复合管。

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第6题

IGBT简称绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件（）

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第7题

测得某放大电路中，双极型晶体管各引脚直流电位如下：引脚①0.7V；引脚②0V；引脚③5V。则该晶体管为PNP型硅晶体管。判断这一说法是否正确。

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第8题

6.在如下器件中，工作频率最高的是________。

A.晶闸管（SCR）

B.门极可关断晶闸管（GTO）

C.电力场效应管（电力MOSFET）

D.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

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第9题

17.在如下器件中，属于电压驱动的是________。

A.晶闸管（SCR）

B.门极可关断晶闸管（GTO）

C.电力场效应管（电力MOSFET）

D.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

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第10题

对于双极型晶体管，共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。（）

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