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[单选题]
瑞利散射与喇曼散射的根本区别在于______．
A.散射光、入射光强度间的关系不同
B.散射光、入射光偏振度间的关系不同
C.散射光、入射光相干性间的关系不同
D.散射光、入射光波长间的关系不同
提问人：网友anonymity
发布时间：2022-01-07
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第4题
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3，硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV，试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/(V·s)]。
第5题
一个n型锗样品,电阻率ρ=10Ω·cm。设复合中心能级Et在价...
一个n型锗样品，电阻率ρ=10Ω·cm。设复合中心能级Et在价带顶之上0.22eV处，τn=100μs，τp=10μs，求室温下样品的寿命τ(设Nc≈Nv=1019cm-3)。
第6题
一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3...
一n型半导体样品中复合中心能级Et在导带底Ec之下Eg/3处(Eg为禁带宽度)，设τp和τn分别为空穴和电子的寿命且在同样数量级并与温度无关。试根据复合中心理论讨论寿命τ与温度T关系，并根据得出的结论说明确定复合中心能级位置的方法。
第7题
测得GaP材料制成的p+n结的势垒电容CT和反向电压VR的关...
测得GaP材料制成的p+n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下
VR(V) | 0 | 0.5 | 1 | 1.5 | 2 | 2.5 | 3 |
CT(pF) | 20 | 17.3 | 15.6 | 14.3 | 13.3 | 12.4 | 11.6 |
pn结面积A=4×10-4cm2，试求该p+n结的内建电场VD和ND。
第8题
设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管，已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV，ND=1015cm-3，Nc=2.8×1019cm-3，电子亲和能χ=4.05eV，Ip=10μm，Dp=15cm2/s，ni=1.5×1010cm-3，A*=252A/cm2K2(里查德常数)，求：
