题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
2. P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（)。 A.正电 B.负电 C.中性 D.正负都有
A.正电
B.负电
C.中性
D.正负都有
提问人：网友mskyhappy
发布时间：2022-01-07
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第2题
以下关于“简并半导体”的描述正确的是:()。
A、n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数
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B、p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数
C、费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
D、n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E、p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F、费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
第3题
现有三块半导体硅材料，已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为
，
，
。 (1) 分别计算这三块材料的电子浓度
、
、
； (2) 判别这三块材料的导电类型；(3) 分别计算这三块材料的费米能级位置。
第4题
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结,计算在室温(300K)时,内建电位差VD和阻挡层宽度
由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s)，n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s)，锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。
