题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）

A.突触前轴突末梢超极化

B.突触后膜对Ca²⁺、K⁺通透性增大

C.突触后膜极化

D.突触后膜出现超极化

E.突触后膜出现复极化

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-14

参考答案

D、突触后膜出现超极化

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第1题

关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（)。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突

关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。

A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大

B.突触后膜去极化

C.突触后膜出现超极化

D.突触后膜出现复极化

E.以上都不是

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第2题

关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触前轴突末梢超极化B．突触后膜对Ca2+、K+通透性增大

关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

A．突触前轴突末梢超极化

B．突触后膜对Ca2+、K+通透性增大

C．突触后膜去极化

D．突触后膜出现超极化

E．突触后膜出现复极化

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第3题

对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触前轴突末梢超极化B．对Ca2+、K+通透性增大C．突触后

对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

A．突触前轴突末梢超极化

B．对Ca2+、K+通透性增大

C．突触后膜出现超极化

D．突触后膜去极化

E．突触前膜去极化

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第4题

下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化

下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

A、是局部去极化电位

B、具有"全或无"性质

C、是局部超极化电位

D、由突触前膜递质释放量减少所致

E、是局部去极化电位

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第5题

与产生抑制性突触后电位相关的主要离子是（）A．B．C．D．E．

与产生抑制性突触后电位相关的主要离子是（）E．

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第6题

产生抑制性突触后电位时，通透性最大的离子是（)A.K+B.Ca2+C.HCO3-D.C1-E.Na+

产生抑制性突触后电位时，通透性最大的离子是()A.K+B.Ca2+C.HCO3-D.C1-E.Na+

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第7题

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl—

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl—

E.Mg2+

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第8题

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．Mg2+

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是

A．K+

B．Na+

C．Ca2+

D．Cl-

E．Mg2+

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第9题

测量了两段距离及其中误差分别为:=136.46m±0.015m,=960.76m±0.025m,比较它们测距精度的结果为()

A．精度高

B．精度相同

C．精度高

D．无法比较

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