题目内容
（请给出正确答案）
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
A．突触前轴突末梢超极化
B．突触后膜对Ca2+、K+通透性增大
C．突触后膜去极化
D．突触后膜出现超极化
E．突触后膜出现复极化
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
A.突触前膜去极化，膜对Ca2+通透性增大
B.胞内Ca2+浓度增加囊泡向突触前膜移动
C.囊泡内递质释放至突触间隙
D.递质与突触后膜受体结合，打开某种离子通道
E.突触后膜产生兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位
A.CI-通道开放可降低IPSP
B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D.IPSP使神经元的兴奋性增加
E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl_的通透性
对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
A．突触前轴突末梢超极化
B．对Ca2+、K+通透性增大
C．突触后膜出现超极化
D．突触后膜去极化
E．突触前膜去极化
关于突触传递过程的叙述，错误的是()
A 突触前膜去极化，膜对钙离子的通透性减少
B 胞内钙离子浓度增加促进囊泡向突触前膜移动
C 囊泡内递质释放至突触间隙
D 递质与突触后膜受体结合，打开某种离子通道
E 突触后膜产生兴奋性突触后电位或抑制性突触后电位
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A、是局部去极化电位
B、具有"全或无"性质
C、是局部超极化电位
D、由突触前膜递质释放量减少所致
E、是局部去极化电位
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