题目内容 （请给出正确答案）
[单选题]

传入侧支性抑制最终引起突触后膜的电位改变是（）

A.IPSP

B.EPSP

C.两者都是

D.两者都不是

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-07
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更多“传入侧支性抑制最终引起突触后膜的电位改变是（）”相关的问题
第1题
抑制性突触后电位是指突触后膜发生()
A、极化

B、去极化

C、超极化

D、反极化

E、复极化

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第2题
慢抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

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第3题
中枢抑制的形式有

A．突触前抑制  B．传入侧支性抑制

C．回返性抑制  D．局部神经元回路中抑制性突触引起的抑制

E．局部神经元回路中树突-树突型抑制

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第4题
传入侧支性抑制产生的原因是:
A．释放的兴奋递质少

B．抑制兴奋性中间神经元

C．突触后膜发生超极化

D．抑制性中间神经元释放抑制性递质

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第5题
抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
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第6题
对于传入侧支性抑制的描述,恰当的是()
A、作用意义在于使不同中枢的活动协调起来

B、传入纤维的主干与侧支释放不同的递质

C、这种抑制形式仅发生于脊髓，脑内不存在

D、通过交互性突触而产生交互抑制的作用

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第7题
快抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

点击查看答案
第8题
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是()
A、突触后膜膜电位去极化

B、是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果

C、都可向远端不衰减传导

D、都与后膜对Na通透性降低有关

E、突触后膜膜电位超极化

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第9题
下列关于传入侧支性抑制的描述,正确的是()
A．传入侧支负反馈抑制自身胞体

B．传入纤维主干与侧支释放不同递质

C．通过交互性突触而形成交互抑制

D．仅发生于脊髓，脑内不存在

E．意义在于协调不同中枢的活动

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