题目内容 （请给出正确答案）
[单选题]

快抑制性突触后电位的产生主要是由于突触后膜（）

A.对Na+通透性增大

B.对K+通透性降低

C.对Cl-通透性增大

D.对K+通透性增大

E.对Ca2+通透性增大

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-07
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匿名网友 选择了B
[230.***.***.37] 1天前
匿名网友 选择了B
[214.***.***.212] 1天前
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第1题
除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程?()
A、突触后膜膜内电位升高

B、Ca2+由膜外进入突触前膜内

C、突触后膜对Cl-通透性升高

D、突触小泡释放递质,并与后膜受体结合

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第2题
慢抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

点击查看答案
第3题
快抑制性突触后电位的产生主要是由于()
A、K+通道开放

B、Na+通道关闭

C、Cl-通道开放

D、K+通道关闭

点击查看答案
第4题
慢兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜()
A、对Na+通透性增大

B、对K+通透性降低

C、对Cl-通透性增大

D、对K+通透性增大

E、对Ca2+通透性增大

点击查看答案
第5题
抑制性突触后电位是指突触后膜发生()
A、极化

B、去极化

C、超极化

D、反极化

E、复极化

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第6题
抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
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第7题
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？()

A.Na+

B.K+

C.Na+和K+

D.Ca2+

E.Cl-

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