题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于（)状态，（)导电沟道。

A.积累，无

B.耗尽，无

C.反型，有

D.积累，有

提问人：网友曾深鑫 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

n沟增强型MOS管在栅压为零时,由于氧化层中正电荷的作用,半导体表面为()状态,开启电压为()。

A、积累，正值

B、耗尽，正值

C、积累，负值

D、耗尽，负值

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第2题

制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()

此题为判断题(对，错)。

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第3题

p型的MOS结构半导体表面处于反型区时,空间电荷是()的,为()。

A、正，电离施主杂质

B、正，电离施主杂质和空穴

C、负，电离受主杂质

D、负，电离受主杂质和电子

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第4题

p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。

A、正值，强反型

B、正值，导电沟道消失

C、负值，强反型

D、负值，导电沟道消失

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第5题

A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有

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第6题

p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。

A、正值，电子

B、正值，空穴

C、负值，电子

D、负值，空穴

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第7题

A、正值

B、负值

C、零值

D、不确定的

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第8题

A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

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第9题

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