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第1题
对于MOSFET,根据栅源电压为0时是否存在导电沟道,可分为 场效应管和 场效应管。
A、MOS;结型
B、增强型;结型
C、增加型;耗尽型
D、耗尽型;结型
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第2题
p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。
A、正值,电子
B、正值,空穴
C、负值,电子
D、负值,空穴
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第3题
用N沟道增强型的MOS管作开关管使用,栅极G加低电平时MOS管导通。
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第4题
N沟道增强型MOS管,测得三个电极①②③的电位分别为4V、8V、12V,已知MOS管工作在恒流区,则下图中电位值与各电极对应正确的为______。
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第5题
在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。
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第6题
n沟增强型MOS管在栅压为零时,由于氧化层中正电荷的作用,半导体表面为()状态,开启电压为()。
A、积累,正值
B、耗尽,正值
C、积累,负值
D、耗尽,负值
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第7题
N沟道增强型MOS管多子与少子都参与导电。()
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第8题
p沟耗尽型MOS管的阈值电压为(),达到阈值电压后,表面为()状态。
A、正值,强反型
B、正值,导电沟道消失
C、负值,强反型
D、负值,导电沟道消失
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第9题
3.4 由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如图所示,试画出该电路的交流通路和小信号等效电路,已知 g m=2mS,试求电压放大倍数 A u、输入电阻 Ri和输出电阻 Ro。
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