题目内容（请给出正确答案）

[主观题]

已知耗尽型NMOS管的夹断电压UGs(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDss=0.5mA,试求Ucs=-1V时的漏极电流I

已知耗尽型NMOS管的夹断电压UGs（off)=-2.5V,饱和漏极电流IDss=0.5mA,试求Ucs=-1V时的漏极电流I

D和跨导gm。提示:对式(1.6.3)求导数,可得已知耗尽型NMOS管的夹断电压UGs（off)=-2.5V,饱和漏极电流IDss=0.5mA,试求U 。

提问人：网友yangpan98 发布时间：2022-06-27

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更多“已知耗尽型NMOS管的夹断电压UGs(off)=-2.5V,…”相关的问题

第1题

场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

A.增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V

B.耗尽型PMOS，夹断电压VP=﹣2V

C.增强型NMOS管，开启电压VTP=﹣2V

D.耗尽型NMOS，夹断电压VTP=﹣10V

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第2题

已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压U_CS(off)=-2.5V，饱和漏极电流I_DSS=0.50mA，试求U_CS=-1V时的漏极电流I_D和跨导gm。

已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压U_CS（off)=-2.5V，饱和漏极电流I_DSS=0.50mA，试求U_CS=-1V时的漏极电流I_D和跨导gm。

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第3题

对耗尽型NMOS管，[图]可正可负。...

对耗尽型NMOS管，可正可负。

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第4题

下面两张图分别描述的是管和管的转移特性。

A.增强型NMOS，增强型PMOS

B.增强型NMOS，耗尽型PMOS

C.增强型PMOS，耗尽型NMOS

D.耗尽型PMOS，耗尽型NMOS

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第5题

图示符号为______。

A.增强型NMOS管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型NMOS管

D.耗尽型PMOS管

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第6题

CMOS反相器电路是由（）各一个器件组成的。

A.增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管

B.增强型NMOS工作管和耗尽型PMOS工作管

C.增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管

D.耗尽型PMOS管和增强型NMOS管

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第7题

下面的图形符号表示的是NMOS耗尽型管。 [图]...

下面的图形符号表示的是NMOS耗尽型管。

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第8题

场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

A.耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V

B.P沟JFET管，夹断电压VP为2V

C.N沟JFET管，夹断电压VP为2V

D.增强型NMOS管，开启电压为2V

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第9题

已知放大电路中一只MOS三个极S、G、D的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子

A.增强型NMOS管

B.增强型PMOS管

C.耗尽型NMOS管

D.耗尽型PMOS管

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第10题

一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。

A.N-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

B.P-JFET，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

C.耗尽型NMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

D.耗尽型PMOS，夹断电压Vp是 4.5V ，饱和漏电流IDSS是 5.4mA

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第11题

VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有

A.N-JFET

B.P-JFET

C.增强型NMOS管

D.增强型PMOS管

E.耗尽型NMOS管

F.耗尽型PMOS管

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