题目内容（请给出正确答案）

场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

[单选题]

场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

A.增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V

B.耗尽型PMOS，夹断电压VP=﹣2V

C.增强型NMOS管，开启电压VTP=﹣2V

D.耗尽型NMOS，夹断电压VTP=﹣10V

提问人：网友肖和成 发布时间：2022-01-07

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第1题

场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V

D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V

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第2题

由某场效应管的转移特性知，在vDS =10V保持不变的情况下，vGS 由-1V变化到-2V时，iD相应从2mA变化到0.8mA，则该管子的gm为______。

A、0.83mS

B、1.2mS

C、2 mS

D、-1.2 mS

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第3题

一个结型场效应管的转移特性曲线如图所示，则它是( )沟道的效应管。（填写N/P）

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第4题

某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是。

A、为P沟道增强型MOS管，Up=1V

B、为N沟道耗尽型MOS管，UT=1V

C、为N沟道增强型MOS管，UT=1V

D、为P沟道结型场效应管，Up=1V

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第5题

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为

,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下g_m(t)的波形图，并导出混频跨导g_mc表达式。

。

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第6题

已知某场效应管的输出特性曲线如图所示，与之对应的转移特性曲线是（）。

A、

B、

C、

D、

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第7题

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，U...

已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在U_DS=10V，U_GS=0V处的跨导gm约为（）。

A. 1mA/V

B. 0.5mA/V

C. -1mA/V

D. -0.5mA/V

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第8题

某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：

A、P沟道结型管

B、N沟道结型管

C、耗尽型PMOS管

D、耗尽型NMOS管

E、增强型PMOS管

F、增强型NMOS管

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第9题

测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。

A、恒流区

B、截止区

C、可变电阻区

D、饱和区

E、线性工作区

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第10题

MOSFET输出特性曲线如图，它是P沟耗尽型MOSFET。 [图]...

MOSFET输出特性曲线如图，它是P沟耗尽型MOSFET。

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