题目内容
（请给出正确答案）
A.电子准费米能级与空穴准费米能级之间的偏离程度反映了系统偏离热平衡态的程度
B.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
C.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
D.多子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很大
E.少子的准费米能级偏离热平衡态费米能级很小
F.当电子的准费米能级和空穴的准费米能级重合时，半导体处于非平衡态
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B、外加反偏压时，半导体一侧势垒增高
C、外加正偏压时，金属一侧势垒基本不变
D、外加反偏压时，金属一侧势垒基本不变
E、外加正偏压时，半导体一侧势垒增高
F、外加反偏压时，半导体一侧势垒降低
B、有确定的载流子浓度
C、有统一的费米能级
D、载流子浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方
E、导带和价带之间没有统一的费米能级
F、载流子浓度的乘积不等于本征载流子浓度的平方
G、有非平衡载流子
B、对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C、直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D、对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E、间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F、间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
B、均匀掺杂的半导体，处于热平衡状态时，不产生扩散运动
C、不论是平衡载流子还是非平衡载流子，只要存在浓度梯度，都会产生扩散运动
D、载流子在电场作用下的定向运动
E、载流子的无规则热运动
F、扩散运动是平衡载流子的主要运动形式之一
B、绝缘层中存在电荷
C、半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D、外加偏压
B、产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C、是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D、产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
B、决定同质pn结注入比的是掺杂浓度，要想获得大的注入比就要求
C、决定异质pn结注入比的是 ，通常可获得较大的注入比
D、同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
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