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[主观题]

(6) 本征半导体在温度升高后,自由电子和空穴数目都增加,但增量相同。()

提问人:网友nisishui 发布时间:2022-01-07
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第1题
本征半导体中,温度升高,电子数会增加,空穴数量不变
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第2题
随着温度的升高,N型半导体中的载流子数目变化为:

A、自由电子变多,空穴变少。

B、自由电子变少,空穴变多。

C、自由电子变少,空穴变少。

D、自由电子变多,空穴变多。

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第3题
温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴的数目都增加。
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第4题
当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量( )。

A、增加

B、减少

C、不变

D、其他选项都不正确

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第5题
温度升高,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。
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第6题
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的。
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第7题

什么是“杂质饱和电离”?在杂质饱和电离条件下,写出N型半导体的电子和空穴浓度,以及P型半导体的电子和空穴浓度

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第8题
半导体内存在着自由电子、空穴、正粒子等。()
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第9题
不会影响半导体本征载流子浓度的因素是禁带宽度
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第10题
对于本征半导体来说,电子浓度与空穴浓度相等。
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