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[单选题]

提高均匀基区晶体管放大系数的措施通常是()。

A.提高

B.降低

C.提高

D.降低

提问人:网友曾深鑫 发布时间:2022-01-07
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[124.***.***.126] 1天前
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[96.***.***.247] 1天前
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[248.***.***.252] 1天前
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第1题
提高均匀基区晶体管放大系数的措施通常是()。

A.提高

B.降低

C.提高

D.降低

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第2题
提高均匀基区晶体管放大系数的措施通常是()。

A.提高

B.降低

C.提高

D.降低

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第3题
对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。
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第4题
对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。()
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第5题
以下各项中,不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是()。

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

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第6题
要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法()。

A.增大基区掺杂浓度

B.减小基区掺杂浓度

C.增大基区宽度

D.减小基区宽度

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第7题
以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。

A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

C.减小发射结和集电结面积以减小电容

D.适当降低集电区电阻率和厚度

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第8题
以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。

A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb

B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子

C.减小发射结和集电结面积以减小电容

D.适当降低集电区电阻率和厚度

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第9题
如图所示为一种晶体管放大电路,晶体管为硅管,电流放大系数为β,晶体管输入电阻为rbe。 请回答以下问题: RE的存在对放大电路的放大倍数、输入电阻和输出电阻各有什么影响?()

A.降低放大倍数,提高输入和输出电阻

B.降低放大倍数,提高输入电阻,输出电阻不变

C.提高放大倍数、输入和输出电阻

D.提高放大倍数,降低输入和输出电阻

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