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第1题
提高均匀基区晶体管放大系数的措施通常是()。
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第2题
以下各项中,不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是()。
A、降低发射区与基区的方块电阻之比
B、减小基区宽度
C、减小基区自建电场因子
D、提高基区少子寿命和迁移率
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第3题
考虑BJT有效基区扩展效应,随着发射极电流的增加,晶体管共发射极电流放大系数增大。()
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第4题
以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是()。
A、τe、τb、τd
B、τe、τb、τc
C、τe、τd、τc
D、τe、τb、τd、τc
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第5题
晶体管具备电流放大的内部条件是()。
A. 基区薄而其杂质浓度低
B. 基区杂质浓度高
C. 降低发射区杂质浓度
D. 加强电子在基区的复合
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第6题
对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。()
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第7题
对于均匀基区晶体管,以下各项中,不属于降低会带来的影响是()。
A、发射效率增大
B、功率增益增大
C、基极电阻增大
D、噪声系数上升
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第8题
某晶体三极管的电流放大系数为40,基极电流为20A,试求集电极电流。()
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第9题
双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括()。
A、基区宽度足够小
B、发射结正偏
C、集电结反偏
D、发射结及集电结的结电阻足够小
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第10题
以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是( )。
A、τe、τb、τd
B、τe、τb、τc
C、τe、τd、τc
D、τe、τb、τd、τc
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