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[单选题]

N型半导体中()浓度相当高。

A.电子

B.空穴

C.光生载流子

D.电子-空穴对

提问人:网友lianggu 发布时间:2022-01-07
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第1题

A. N型半导体

B. P型半导体

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第2题
以下关于MOSFET阈值电压的说法中,错误的是()。
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B、若金属相比半导体的功函数较小,二者功函数之差越大时,n沟增强型MOSFET的开启电压就越小

C、衬底掺杂浓度越高,沟道越容易进入强反型状态

D、氧化层厚度增加,阈值电压增加

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第3题

载流子

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第4题
N型半导体中的多子是()。

A、电子

B、空穴

C、正离子

D、负离子

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第5题
在P型半导体中,当温度升高时,自由电子浓度会增加,而空穴浓度保持不变。
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第6题
半导体中的电子数大于空穴数。
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第7题
P型半导体中,其多数载子是()。

A. 电子

B. 电洞

C. 中子

D. 以上皆非

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第8题
N型半导体中,多数载流子是
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第9题
N型半导体中的多子是空穴。
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第10题
在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
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