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杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为()。A、N型半导体B、P型半导
A.N型半导体
B.P型半导体
C.电子型半导体
A.N型半导体
B.P型半导体
C.电子型半导体
杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为()。
A、N型半导体
B、P型半导体
C、电子型半导体
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体。
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体。
E、n型半导体依靠导带电子导电。
F、p型半导体依靠价带空穴导电。
G、本征半导体中载流子由本征激发产生。
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程。
A.N型半导体电子浓度远大于空穴浓度
B.P型半导体电子浓度远大于空穴浓度
C.半导体的导电性能跟施主杂质浓度有关
D.半导体的导电性能跟受主的杂质浓度无关
A.N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B.N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C.N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度,
D.N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
A.在P区,空穴浓度高,电子浓度低。
B.在N区,空穴浓度高,电子浓度低。
C.在N区,电子浓度高,空穴浓度低。
D.在P区,电子浓度高,空穴浓度低。
A.导带的电子浓度小于价带的空穴浓度
B.导带的电子浓度大于价带的空穴浓度
C.导带的电子浓度等于价带的空穴浓度
D.施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度
E.电子浓度和空穴浓度均为0
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
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