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非均匀形核,当接触角θ=0°时,非均匀形核的形核功最大。

提问人:网友anonymity 发布时间:2022-01-06
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第1题
非均匀形核
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第2题
晶核的形成有()方式。

A. 自发形核(异质形核)

B. 非自发形核(异质形核)

C. 自发形核(均质形核)

D. 非自发形核(均质形核)

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第3题
非均匀形核相比较于均匀形核需要更大的过冷度。
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第4题
有关于均匀形核的形核功的叙述中,错误的是()
A.形成临界晶核时,体积自由能的下降只补偿了表面能的2/3,还有1/3的表面能没有得到补偿,需要另外供给,即需要对形核做功,故称ΔGK为形核功。

B.形核功是过冷液体形核时的主要障碍,过冷液体需要一段孕育期才开始结晶的原因正在于此。

C.若晶胚的半径大于r0,液、固两相体积自由能差值大于晶胚的表面能,驱动力大于阻力,晶胚就可以转变成为稳定晶核,而不再需要外界提供能量了。

D.过冷液相中的相起伏和结构起伏是形核的基础,任何一个晶核都是这两种起伏的共同产物。

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第5题
影响非均匀形核的因素有哪些?

A、过冷度

B、固体杂质结构

C、搅拌和振动

D、过热度

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第6题
均匀形核(名词解释题)

均匀形核

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第7题
非均匀形核时晶核与基底之间的接触角(),临界形核功(),非均匀形核()。

A、越小,越大,越容易

B、越小,越小,越困难

C、越小,越小,越容易

D、越小,不变,越困难

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第8题
非均匀形核时形核功的大小和接触角θ的大小有关,而接触角又与形核基底与晶核的界面能σnw、液相的表面能σnl以及液相与形核基底的界面能σlw有关,若()
A.σnw越小,则θ就越小,形核功也越小,形核越容易

B.σnl越大,则θ就越小,形核功也越小,形核越容易

C.σnw越大,则θ就越小,形核功也越小,形核越容易

D.σlw越小,则θ就越小,形核功也越小,形核越容易

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第9题
试比较均匀形核与非均匀形核的异同点,说明非均匀形核比均匀形核容易的原因。
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第10题
在均匀形核的开始阶段,形核率随过冷度的增加而()。

A. 增加

B. 减弱

C. 不变

D. 不一定

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