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[判断题]

N沟道增强型MOS管多子与少子都参与导电。()

提问人:网友lixin080108 发布时间:2022-01-07
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第1题
判断题:P沟道增强型MOS管,结构与NMOS管相反,vGS、vDS 电压极性与NMOS管相反,开启电压vT为负值。
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第2题
以下关于MOS管的说法正确的是

A、MOS管是电压控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电

B、MOS管是电流控制型器件,导电时电子和空穴同时参与导电

C、MOS管是电压控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电

D、MOS管是电流控制型器件,导电时只有一种载流子参与导电

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第3题
在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于 状态, 导电沟道。()

A、积累,无

B、耗尽,无

C、反型,有

D、积累,有

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第4题
MOS场效应管有增强型和耗尽型两类,每类又有N沟道和P沟道两种。
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第5题
对于MOSFET,根据栅源电压为0时是否存在导电沟道,可分为 场效应管和 场效应管。

A、MOS;结型

B、增强型;结型

C、增加型;耗尽型

D、耗尽型;结型

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第6题
用N沟道增强型的MOS管作开关管使用,栅极G加低电平时MOS管导通。
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第7题
3.4 由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如图所示,试画出该电路的交流通路和小信号等效电路,已知 g m=2mS,试求电压放大倍数 A u、输入电阻 Ri和输出电阻 Ro。
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第8题
在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。
A、积累,无

B、耗尽,无

C、反型,有

D、积累,有

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第9题
N沟道增强型MOS管,测得三个电极①②③的电位分别为4V、8V、12V,已知MOS管工作在恒流区,则下图中电位值与各电极对应正确的为______。

A、

B、

C、

D、

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