题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

关于强电离区,以下说法正确的是:

A.载流子浓度不随温度变化

B.大部分杂质都已电离

C.本征激发的影响可以忽略

D.载流子浓度随温度升高按指数规律变化

E.费米能级不随温度变化

F.本征激发的影响不可忽略

提问人:网友daimuyan 发布时间:2022-01-07
参考答案
查看官方参考答案
如搜索结果不匹配,请 联系老师 获取答案
网友答案
查看全部
  • · 有4位网友选择 D,占比40%
  • · 有3位网友选择 E,占比30%
  • · 有1位网友选择 C,占比10%
  • · 有1位网友选择 B,占比10%
  • · 有1位网友选择 A,占比10%
匿名网友 选择了D
[220.***.***.187] 1天前
匿名网友 选择了D
[220.***.***.187] 1天前
匿名网友 选择了D
[220.***.***.187] 1天前
匿名网友 选择了D
[152.***.***.195] 1天前
匿名网友 选择了E
[165.***.***.69] 1天前
匿名网友 选择了D
[6.***.***.131] 1天前
匿名网友 选择了D
[192.***.***.52] 1天前
匿名网友 选择了C
[176.***.***.69] 1天前
匿名网友 选择了A
[28.***.***.118] 1天前
匿名网友 选择了E
[88.***.***.71] 1天前
匿名网友 选择了B
[43.***.***.136] 1天前
匿名网友 选择了E
[81.***.***.160] 1天前
匿名网友 选择了D
[152.***.***.195] 1天前
匿名网友 选择了E
[165.***.***.69] 1天前
匿名网友 选择了D
[6.***.***.131] 1天前
匿名网友 选择了D
[192.***.***.52] 1天前
匿名网友 选择了C
[176.***.***.69] 1天前
匿名网友 选择了A
[28.***.***.118] 1天前
匿名网友 选择了E
[88.***.***.71] 1天前
匿名网友 选择了B
[43.***.***.136] 1天前
加载更多
提交我的答案
登录提交答案,可赢取奖励机会。
更多“关于强电离区,以下说法正确的是:”相关的问题
第1题
关于强电离区,以下说法正确的是:()。
A、载流子浓度不随温度变化

B、大部分杂质都已电离

C、本征激发的影响可以忽略

D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化

E、费米能级不随温度变化

F、本征激发的影响不可忽略

点击查看答案
第2题
关于“载流子浓度随温度的变化”,以下说法正确的是:()。
A、低温区,载流子浓度随温度按指数规律变化

B、强电离区,载流子浓度不随温度变化

C、本征激发区,载流子浓度随温度按指数规律变化

D、强电离区,载流子浓度随温度按指数规律变化

E、本征激发区,载流子浓度不随温度变化

F、低温区,载流子浓度不随温度变化

点击查看答案
第3题
以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
A、半导体表面反型时,空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

点击查看答案
第4题
关于手术区的术前准备,哪种说法是不正确的()

A. 患者在术前应行理发、沐浴和备皮

B. 与口腔相通的大手术,特别是需植骨、植皮者,应作洁治、充填等

C. 术前应使用1:5000高锰酸钾或1:1000氯己定液含漱

D. 取皮和取骨区应在术前1日彻底清洁备皮,以碘酒、酒精消毒后用无菌敷料包扎

E. 若具有强有效的消毒条件或整容手术时可免去剃发

点击查看答案
第5题
室温范围,n型半导体的电阻率随温度升高如何变化?

A、增大

B、减小

C、不变

D、先减小,后增大

E、先增大,后减小

点击查看答案
第6题
关于“载流子的漂移运动”,以下说法正确的是:

A、载流子在电场作用下的定向运动。

B、载流子的无规则热运动。

C、载流子的无规则热运动。

D、漂移速度是一个平均值,且是一个有限值。

E、电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。

点击查看答案
第7题
关于“载流子的迁移率”,以下说法正确的是:

A、迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。

B、迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。

C、电子的迁移率为正。

D、电子的迁移率大于空穴的迁移率。

E、电子的迁移率为负,空穴的迁移率为正。

F、电子的迁移率小于空穴的迁移率。

G、电子的迁移率等于空穴的迁移率。

点击查看答案
第8题
Si、Ge元素半导体的主要散射机构为:

A、电离杂质散射

B、声学波散射

C、光学波散射

D、谷间散射

E、位错散射

点击查看答案
账号:
你好,尊敬的用户
复制账号
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改
欢迎分享答案

为鼓励登录用户提交答案,简答题每个月将会抽取一批参与作答的用户给予奖励,具体奖励活动请关注官方微信公众号:简答题

简答题官方微信公众号

警告:系统检测到您的账号存在安全风险

为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!

微信搜一搜
简答题
点击打开微信
警告:系统检测到您的账号存在安全风险
抱歉,您的账号因涉嫌违反简答题购买须知被冻结。您可在“简答题”微信公众号中的“官网服务”-“账号解封申请”申请解封,或联系客服
微信搜一搜
简答题
点击打开微信