关于强电离区,以下说法正确的是:()。
A.载流子浓度不随温度变化
B.大部分杂质都已电离
C.本征激发的影响可以忽略
D.载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E.费米能级不随温度变化
F.本征激发的影响不可忽略
A.载流子浓度不随温度变化
B.大部分杂质都已电离
C.本征激发的影响可以忽略
D.载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E.费米能级不随温度变化
F.本征激发的影响不可忽略
B、强电离区,载流子浓度不随温度变化
C、本征激发区,载流子浓度随温度按指数规律变化
D、强电离区,载流子浓度随温度按指数规律变化
E、本征激发区,载流子浓度不随温度变化
F、低温区,载流子浓度不随温度变化
A、载流子浓度不随温度变化
B、大部分杂质都已电离
C、本征激发的影响可以忽略
D、载流子浓度随温度升高按指数规律变化
E、费米能级不随温度变化
F、本征激发的影响不可忽略
B、空间电荷区宽度最大时,强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场
C、空间电荷区宽度达到最大值后,表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化
D、对于n型,外加电压VG>0并逐渐增大时,空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值
A. 患者在术前应行理发、沐浴和备皮
B. 与口腔相通的大手术,特别是需植骨、植皮者,应作洁治、充填等
C. 术前应使用1:5000高锰酸钾或1:1000氯己定液含漱
D. 取皮和取骨区应在术前1日彻底清洁备皮,以碘酒、酒精消毒后用无菌敷料包扎
E. 若具有强有效的消毒条件或整容手术时可免去剃发
B、载流子的无规则热运动
C、载流子的无规则热运动
D、漂移速度是一个平均值,且是一个有限值
E、电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的,只要杂质和缺陷在一定限度内,就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体,掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
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