题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下面哪种方式无法减少pn结的扩散电容:（）。

A.减小少子寿命

B.减小结面积

C.减小掺杂浓度

D.减小正向直流偏压

提问人：网友陈银桑 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

以下关于PN结电容说法正确的是

A.正向偏压增大时，势垒电容减小；

B.正向偏压增大时，扩散电容减小；

C.反向偏压增大时，势垒电容减小；

D.势垒电容是一种固定电容。

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第2题

下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。

A.PN结外加正向偏压增大

B.PN结外加反向偏压减小

C.使空间电荷区势垒宽度减小

D.使电子和空穴从空间电荷区流入两侧半导体中

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第3题

关于PN结电流，说法不正确的是

A.PN结正向电流是以多子注入形成的电流为主

B.PN结反向电流属于少子电流，受温度影响大

C.PN结正向电压增大，电流会随之增加

D.PN结反向电压变大，电流会随之减小

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第4题

当PN结加正向电压（正向偏置)时,PN结内电场减小。（）

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第5题

提高特征频率fT的主要技术途径包括：

A.减小发射结面积AE；

B.减小集电结面积AC；

C.减小基区宽度xB；

D.减小集电区掺杂浓度NC；

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第6题

下面哪种措施不能提高双极型晶体管的开关速度：（）。

A.减小集电区的掺杂浓度

B.在集电区引入产生-复合中心

C.减小集电区宽度

D.减小基区宽度

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第7题

向半导体中掺金，会使

A.复合几率增加，少子寿命增加

B.复合几率减小，少子寿命增加

C.复合几率增加，少子寿命缩短

D.复合几率减小，少子寿命缩短

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第8题

向PN结中掺金，可以

A.减少复合，使PN结开关速度增加

B.减少复合，使PN结开关速度减小

C.加大复合，使PN结开关速度增加

D.加大复合，使PN结开关速度减小

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第9题

PN结处于正向偏置时，耗尽区的宽度减小。

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