题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的

A.半导体二极管；

B.晶体三极管；

C.场效应晶体管；

D.双向晶闸管。

提问人：网友lixin080108 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

在外加栅压为零时,p沟增强型MOS管半导体表面处于()状态,()导电沟道。

A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有

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第2题

在外加栅压为零时，p沟增强型MOS管半导体表面处于状态，导电沟道。（）

A、积累，无

B、耗尽，无

C、反型，有

D、积累，有

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第3题

增强型场效应管是指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加，形成感生沟道，使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强()

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第4题

以下关于MOS管的说法正确的是

A、MOS管是电压控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

B、MOS管是电流控制型器件，导电时电子和空穴同时参与导电

C、MOS管是电压控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

D、MOS管是电流控制型器件，导电时只有一种载流子参与导电

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第5题

若要使PMOS开启,则栅源之间加()电压,半导体表面能带(),反型后形成()沟道。

A、正，下弯，n型

B、负，上弯，n型

C、负，上弯，p型

D、负，下弯，p型

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第6题

关于缓变沟道近似(GCA),下列说法中正确的是()。

A、GCA成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）

B、强反型时可以用GCA，但亚阈值时不能用GCA

C、用了GCA后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关

D、用了GCA后，可以把二维问题转化为一维

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第7题

N沟道场效应管由N型半导体组成()

此题为判断题(对，错)。

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第8题

n沟增强型MOS管在栅压为零时,由于氧化层中正电荷的作用,半导体表面为()状态,开启电压为()。

A、积累，正值

B、耗尽，正值

C、积累，负值

D、耗尽，负值

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第9题

p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。()

此题为判断题(对，错)。

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第10题

岛叶位于（）。

A. 中央沟后方

B. 顶枕沟上下

C. 扣带沟和胼胝体之间

D. 外侧沟的深处

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