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[主观题]

若在n型硅半导体中只含有一种V族杂质，其浓度为ND=1015cm-3。在40K的时候，测得载流子浓度为n=1012cm-3，估算这

若在n型硅半导体中只含有一种V族杂质，其浓度为N_D=10¹⁵cm^-3。在40K的时候，测得载流子浓度为n=10¹²cm^-3，估算这个n型硅半导体的电离能E_d。

提问人：网友anonymity 发布时间：2022-01-06

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更多“若在n型硅半导体中只含有一种V族杂质，其浓度为ND=1015…”相关的问题

第1题

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某n型半导体硅，其掺杂浓度N_D=10¹⁵cm^-3，少子寿命τ_p=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设n_i=1.5×10¹⁰cm^-3)?

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第2题

求硅本征半导体在温度为250K、300K、350K时载流子的浓度。若掺入施主杂质的浓度

，分别求出在250K、300K、350K时电子和空穴的浓度。

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第3题

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一N型半导体电子浓度未1,电子迁移率为1000/（V.S）,试求其电阻率

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第4题

若N型半导体中:(1)Nd=αx,α为常数;(2)Nd=N0e-αx.推导出其中的电场.

若N型半导体中：(1)N_d=αx，α为常数；(2)Nd=N₀e^-αx．推导出其中的电场．

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第5题

以下哪种元素可以作为半导体材料？

A、碳（C）

B、硅（Si）

C、磷（P）

D、砷（As）

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第6题

在纯净的半导体锗中掺入磷元素，则构成了电子型半导体

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第7题

根据主教材表6.1和主教材表6.6中列出的InSb的基本性质，估算其(1) 施主电离能；(2) 基态轨道半径；(3) 基态轨道开始重叠时候的施主浓度，这个浓度与本征浓度的比是多少？与原子浓度的比是多少？

根据杂质电离能计算有效质量

	Ed(或Ea)/eV	m*/me
P	0.045	0.453
As	0.054	0.544
Sb	0.043	0.433
B	0.045	0.453
Al	0.072	0.725
Ga	0.074	0.745

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第8题

主教材表6.8中给出了本征半导体浓度的规律，其中参数a与什么物理量有关？b又与什么物理量有关？

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第9题

Cu2O材料的能隙与GaP或3C-SiC相当，为什么GAP或3C-SiC...

Cu₂O材料的能隙与GaP或3C-SiC相当，为什么GAP或3C-SiC是半导体材料，而Cu₂O就不是？

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第10题

主教材半导体电导率公式(6.18)中的电导率有效质量与主教材表6.6中列出的态密度有效质量哪个大？根据主教材图6.8中的能带图解释你的结论。

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