主教材表6.8中给出了本征半导体浓度的规律，其中参数a与什么物理量有关？b又与什么物理量有关？

A、小于

B、等于

C、大于

D、其他选项都不正确

A、自由电子变多，空穴变少。

B、自由电子变少，空穴变多。

C、自由电子变少，空穴变少。

D、自由电子变多，空穴变多。

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A、纯净的半导体称为本征半导体

B、电子与空穴成对出现，且数量和温度无关

C、有电子和空穴两种载流子

D、在一定条件下，产生的电子-空穴和复合的电子-空穴对数量相等，达到动态平衡