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[单选题]

热载流子效应引起的影响不包括（)。

A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C.漏极电流增大而形成雪崩击穿

D.发射出光子，形成光发射电流

提问人：网友曾深鑫 发布时间：2022-01-07

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第1题

热载流子效应引起的影响不包括（）。

A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C.漏极电流增大而形成雪崩击穿

D.发射出光子，形成光发射电流

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第2题

下列不会加重漏致势垒降低效应的是（)

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容

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第3题

下列不会加重漏致势垒降低效应的是（）

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容

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第4题

下列关于体效应的说法，正确的是（）

A、改变衬底电势可能会产生体效应。

B、不改变衬底电势也可能会产生体效应。

C、源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。

D、体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。

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第5题

随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（）时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。

A.碰撞电离率小于1

B.碰撞电离率等于1

C.碰撞电离率积分等于1

D.碰撞电离率积分小于1

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第6题

由于衬底晶向排列比较规则，注入的离子没有与硅原子碰撞，穿入到硅衬底很深的位置的现象称为

A.退火

B.鸟嘴效应

C.晶格损伤

D.沟道效应

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第7题

以下哪些为MOS管相关的二阶效应： ①短沟道效应；②窄沟道效应；③漏致势垒降低效应；④闭锁效应；⑤热载流子效应

A.①②③④⑤⑥

B.①②③④⑤

C.①③④⑤⑥

D.①②③⑤⑥

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第8题

当获得能量使其自由程大于SiO2厚度时，热电子可以克服Si-SiO2势垒注入栅介质。（）

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第9题

在薄膜形核过程中，衬底与薄膜的浸润性越好，非自发成核的势垒降低越多，非自发成核的倾向越大。

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第10题

某三相线阵CCD衬底材料的热生少数载流子寿命τ=10-6s，电荷包从一个电极转移到下一个电极需5×10-8s，试求：

某三相线阵CCD衬底材料的热生少数载流子寿命τ=10^-6s，电荷包从一个电极转移到下一个电极需5×10^-8s，试求：

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