题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

下列不会加重漏致势垒降低效应的是（)

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容

提问人：网友曾深鑫 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

下列不会加重漏致势垒降低效应的是（）

A.减小沟道长度

B.增大衬底掺杂浓度

C.增大衬底偏压

D.增大栅氧化层电容

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第2题

以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。

A.减小沟道长度

B.增加栅氧化层厚度

C.增加沟道宽度

D.降低衬底掺杂浓度

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第3题

以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。

A.减小沟道长度

B.增加衬底掺杂浓度

C.增加栅氧化层厚度

D.增加沟道宽度

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第4题

某铝栅p沟道mosfet的衬底和源极短接，其参数如下：tox=10nm，衬底掺杂浓度为

某铝栅P沟道MOSFET的衬底和源极短接，其参数如下：Tox=10nm，衬底掺杂浓度为，氧化层电荷面密度为，金属栅和衬底的功函数差为-0.3V，空穴迁移率为，电子迁移率为（1）该MOSFET的衬底费米势为多少？（2）该MOSFET的单位面积氧化层电容是多少？（3）写出该MOSFET的阈值电压公式，并计算阈值电压？

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第5题

以下关于PN结电容说法正确的是

A.正向偏压增大时，势垒电容减小；

B.正向偏压增大时，扩散电容减小；

C.反向偏压增大时，势垒电容减小；

D.势垒电容是一种固定电容。

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第6题

以下会使DIBL效应最明显的条件是（）。

A.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越大

B.沟道长度越长，衬底掺杂浓度越小

C.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越大

D.沟道长度越短，衬底掺杂浓度越小

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第7题

（）会使亚阈值摆幅变小

A.缩短沟道长度

B.减小沟道宽度

C.减小氧化层厚度

D.提高衬底掺杂浓度

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第8题

影响MOSFET阈值电压的因素有（）。

A.栅氧化层厚度

B.沟道宽度

C.衬底掺杂浓度

D.氧化层固定电荷

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第9题

热载流子效应引起的影响不包括（）。

A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏

B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质

C.漏极电流增大而形成雪崩击穿

D.发射出光子，形成光发射电流

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