题目内容
（请给出正确答案）
A.不考虑Si-SiO2界面的结构
B.不考虑金属和半导体之间的功函数之差
C.金属和半导体之间不会通过SiO2层交换电子
D.都正确
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B、负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C、当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D、当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场
C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化
D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值
B、当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C、当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D、管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
B、跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C、跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D、MOS管的跨导越大，电压增益也越大
A. 都是优秀的Internet浏览器
B. 不可以同时安装在微软Windows操作系统中
C. 都可以保存以前浏览网页的历史记录
D. 都支持HTML语言
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