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[主观题]

单晶硅按晶体生长方法的不同,分为()、()和()。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄

膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。外延片主要用于集成电路领域。

提问人:网友吴嘉顺 发布时间:2022-08-30
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更多“单晶硅按晶体生长方法的不同,分为()、()和()。直拉法、区…”相关的问题
第1题
晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。
晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。

A、直拉法

B、布里奇曼法

C、区熔法

D、真空蒸发法

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第2题
制备单晶硅的方法有

A.直拉法(CZ)

B.悬浮区熔法(FZ)

C.蒸发

D.溅射

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第3题
制备单晶硅的方法有

A.直拉法

B.悬浮区熔法

C.四探针法

D.范德堡法

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第4题
下面哪种不是单晶硅的制备方法()。

A.硅带法

B. 区熔法

C. 直拉单晶法

D. 磁拉法

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第5题
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。

A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅

B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

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第6题
单晶硅锭的两种常见生产工艺有()。

A.浇铸法

B.直拉法

C.直熔法

D.区熔法

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第7题
当前,单晶硅的制备中85%左右都是采用()。

A.悬浮区熔法

B.氧化法

C.还原法

D.直拉法

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第8题
单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是()。

A.直熔法

B.直拉法

C.浇铸法

D.区熔法

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第9题
高纯多晶硅是()的主要原料。

A.带状多晶硅

B.直拉单晶硅

C.区熔单晶硅

D.铸造多晶硅

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第10题
2.直拉单晶硅棒存在的问题及改良方法
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