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[主观题]

图NP1-6(b)所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,，由它接成的放大器如图NP1-6(a)所示,已

图NP1-6（b)所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,，由它接成的放大器如图NP1-6（a)所示,已

知V_CC=5V,试求下列条件下的PL,PD,ηc(运用图解法):(1)R_L=10Ω,Q点在负载线中点,充分激励;(2)R_L=5Ω，I_BQ同(1)值,I_CM=I_CQ;(3)R_L=5Ω,Q点在负载线中点，激励同(1)值;(4)R_L=5Ω，Q点在负载线中点，充分激励。

图NP1-6（b)所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线,，由它接成的放大器如图NP1-6（

提问人：网友18***469 发布时间：2022-01-07

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第1题

在三极管的输出特性曲线上，按照工作状态分为：工作区和截止区。

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第2题

客车荧光灯逆变器所用的三极管均为（）等型号的高反压硅功率晶体管。

A. 3DGl2

B. 3AGl

C. 3AD6

D. 3DDl2

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第3题

变压器耦合功率放大电路的最大效率效率可达（）。

A、50%

B、25%

C、78.5%

D、100%

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第4题

三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。

A. PNP型锗

B. NPN型锗

C. PNP型硅

D. NPN型硅

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第5题

三极管3DG4的PCM=300mW，IC=10mA，管子的工作电压UCE等...

三极管3DG4的P_CM=300mW，I_C=10mA，管子的工作电压U_CE等于（）V。

A. 30

B. 10

C. 3000

D. 300

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第6题

高频大功率晶体管3DA4的参数为fT=100MHz,β=20,集电极最大允许耗散功率PCM =20W,饱和临界线跨导gcr=0.8AV,

高频大功率晶体管3DA4的参数为f_T=100MHz，β=20，集电极最大允许耗散功率P_CM=20W，饱和临界线跨导g_cr=0.8A/V，用它做成2MHz的谐振功率放大器，选定V_CC=24V，θ_c=70°，I_CM=2.2A，并工作在临界状态。试计算R_p、P_o、P_c、η_c和。

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第7题

设二阶实对称矩阵A的一个特征值为1,A的属于特征值1的特征向量为(1,-1)^T,如果|A|=-2,求矩阵A。

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第8题

内部RAM中,位地址为40H、88H的位,该位所在字节的字节地址分别为()和()

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第9题

在杨氏双缝干涉实验中,整个装置的结构不变,全部由空气中浸入水中,则干涉条纹的间距将变______. (填疏或密)

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