电力MOSFET输出特性中的饱和区对应GTR输出特性中的_____

A.饱和

B.非饱和

C.有源

D.正向阻断

A.MOSFET的输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。

B.MOSFET的输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。

C.MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。

D.MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区以及放大区。

A.典型输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。

B.典型输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。

C.典型输出特性分三个区：截止区、线性区和非饱和区。

D.典型输出特性分三个区：截止区、非线性区和饱和区。

如图所示，下列说法正确的是：

A、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性工作区

B、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区。

C、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性工作区。

D、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。

E、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

F、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

G、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

H、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。

A.截止区

B.有源区

C.饱和区

D.非饱和区

如图所示，下列说法正确的有：

A、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性工作区

B、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性工作区。

C、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区。

D、这是增强型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。

E、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

F、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

G、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。

H、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

I、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为线性放大区。

如图所示，下列说法正确的有：

A、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性放大区

B、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为饱和区，B区为线性放大区。

C、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区。

D、这是增强型MOSFET的转移特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。

E、这是耗尽型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

F、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

G、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。

H、这是耗尽型MOSFET的转移特性曲线，其中C区为截止区，D区为击穿区。

I、这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。

MOSFET输出特性曲线如图，它是P沟耗尽型MOSFET。

MOSFET输出特性曲线如图，它是N沟耗尽型MOSFET。