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[主观题]
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。
提问人：网友wangguoting
发布时间：2022-01-07
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B．共集电极
C．共基极极
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第3题
以下关于典型全控型器件描述不正确的是()
A．GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
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B．GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C．电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D．IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
