题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
晶闸管是具有3个PN结、()极的硅半导体器件。
A.放大
B. 阴
C. 阳
D. 控制
提问人:网友hxlgis
发布时间:2022-01-06
A.放大
B. 阴
C. 阳
D. 控制
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
A.GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。
B.GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。
C.电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。
D.IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。
为了保护您的账号安全,请在“简答题”公众号进行验证,点击“官网服务”-“账号验证”后输入验证码“”完成验证,验证成功后方可继续查看答案!