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[单选题]

温度升高,晶体管的管压降|UBE| 。

A.增大

B.减小

C.不变

D.无法判断

提问人:网友xiaoxiaono1 发布时间:2022-01-07
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第1题
晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO,uBE的变化情况为( )。

A、β增加,ICBO,和 uBE减小

B、β和ICBO增加,uBE减小

C、β和uBE减小,ICBO增加

D、β、ICBO和uBE都增加

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第2题
电路如图11-8所示,晶体管β=50,Ube=0.6V,RB=72kΩ,RC=1.5kΩ,U=9V,当R=0时,晶体管处于临界饱和状态,正常工作时静态集电极电流ICQ应等于3mA,此时应把R调整为()kΩ。

A. 100

B. 72

C. 68

D. 86

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第3题
已知某晶体管UBE=0.7V,UCE=3V,则该管工作在()区。

A、放大

B、饱和

C、截止

D、击穿

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第4题
硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的UBE(on) = 0.7V, b = 100。则管子工作在放大状态。
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第5题
从晶体管的输入特性可知,晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为(),锗管约为();晶体管在导通之后,管压降UBE变化不大,硅管的UBE约为()、锗管的UBE约为()。

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第6题
在图示电路中,已知二极管的导通电压UD=0.7V,晶体管导通时的|UBE|=0.7V,VT2和VT4 发射极静态电位UEQ=0。VT1、VT3和VT5基极的静态电位各为()。

A、1.4V -0.7V -17.3V

B、-1.4V 0.7V -17.3V

C、0.7V -1.4V -18.7V

D、1.4V -1.4V 17.3V

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