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[主观题]

磁控溅射可以提高氩气的离化率，并将二次电子束缚在靶周围的区域，提高溅射的效率。

提问人：网友haotongxue 发布时间：2022-01-07

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第1题

用配方法将二次型化标准形。

用配方法将二次型

化标准形。

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第2题

任意的二次型都可用合同变换法化为标准形。

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第3题

将二次型化为规范形,并求所用的可逆线性变换

将二次型

化为规范形,并求所用的可逆线性变换

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第4题

为了提高催化蒸馏塔内TAME的产率,将二次甲醇分别注入底部。()

此题为判断题(对，错)。

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第5题

实二次型的标准形惟一.

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第6题

将二次积分[图]化为极坐标形式的二次积分是（）．A. [图]...

将二次积分化为极坐标形式的二次积分是（）．

A.

B.

C.

D.

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第7题

化二次型为标准形,并写出所作的可逆线性变换.

化二次型

为标准形，并写出所作的可逆线性变换.

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第8题

实数域上二次型的规范形存在且唯一，且由二次型的秩唯一确定。

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第9题

利用高能氩离子轰击靶材，靶材原子被撞击，脱离出来，在硅片表面形成薄膜的工艺过程是

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第10题

VPE的含义是

A、气相外延

B、分子束外延

C、金属有机物化学气相外延

D、正外延

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