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[主观题]
混频管的转移特性为，说明由该混频管构成的混频器可否出现中频干扰、像频干扰？能否产生干扰电台所引起的交叉
混频管的转移特性为
提问人：网友anonymity
发布时间：2022-01-07
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第2题
某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
A、P沟道结型管
B、N沟道结型管
C、耗尽型PMOS管
D、耗尽型NMOS管
E、增强型PMOS管
F、增强型NMOS管
第3题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中，已知场效应管的静态转移特性为
,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。
。
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,在满足线性时变条件下，试画出下列两种情况下gm(t)的波形图，并导出混频跨导gmc表达式。。
第4题
某场效应管的转移特性曲线如图所示。下列叙述正确的是 。 
A、为P沟道增强型MOS管，Up=1V
B、为N沟道耗尽型MOS管，UT=1V
C、为N沟道增强型MOS管，UT=1V
D、为P沟道结型场效应管，Up=1V
第5题
场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。 
A、耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
B、耗尽型PMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V
C、增强NMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
D、增强PMOS的转移特性曲线，其开启电压VTN=﹣4V
第6题
晶体管放大器振幅调制电路和晶体管的转移特性如图所示，gm为晶体管的交流跨导，调制信号uW = UWmcosWt，载波uc = Ucmcoswct，Ucm >> UWm，wc >> W，直流偏置电压UBB = UBEQ = UBE(on)。集电极电流、时变静态电流和时变电导的表达式为（ ） 
A、iC = gm(uc + uW)，I0(t) = gmuc，g(t) = gm
B、iC = gm(uc + uW)k1(wct)，I0(t) = gmuck1(wct)，g(t) = gmk1(wct)
C、iC = gmuck1(wct) + gmuW，I0(t) = gmuck1(wct)，g(t) = gm
D、iC = gm(uc + uW)k1(wct)，I0(t) = gmuck1(wct)，g(t) = gmk1(wct)uW
的反馈作用第8题
在丙类频功率放大器中，集电极电流[图]为余弦脉冲电流，...
在丙类频功率放大器中，集电极电流
为余弦脉冲电流，而
为（）。
A、余弦脉冲电流
B、连续余弦波形电流
C、周期性矩形波电流
D、正弦脉冲电流
