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[多选题]
以下关于锗二极管的描述不正确的是()
A.正向特性有死区和正向导通$
B.$反向特性有反向截止和反向击穿$
C.$导通压降约为0.7V$
D.$锗整流二极管可以反向击穿
提问人:网友154336271
发布时间:2022-08-29
A.正向特性有死区和正向导通$
B.$反向特性有反向截止和反向击穿$
C.$导通压降约为0.7V$
D.$锗整流二极管可以反向击穿
A.二极管加正向电压时,二极管就导通
B.二极管的反向饱和电流的大小受温度影响大
C.二极管的正向导通压降,硅管比锗管高
D.同样外部条件下,硅管的反向饱和电流比锗管小
A.稳压管工作在反向特性区
B.常温下本征半导体几乎完全不导电
C.锗二极管的开启电压比硅二极管低
D.二极管方程不仅适用于描述二极管的正向特性,也适用于描述其反向特性
A.锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通。
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