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[多选题]

以下关于锗二极管的描述不正确的是()

A.正向特性有死区和正向导通$

B.$反向特性有反向截止和反向击穿$

C.$导通压降约为0.7V$

D.$锗整流二极管可以反向击穿

提问人:网友154336271 发布时间:2022-08-29
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匿名网友 选择了BD
[70.***.***.157] 1天前
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[146.***.***.79] 1天前
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[215.***.***.234] 1天前
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[234.***.***.166] 1天前
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第1题
以下关于锗二极管的描述正确的是()

A.正向特性有死区和正向导通$

B.$反向特性有反向截止和反向击穿$

C.$导通压降约为0.2V$

D.$锗整流二极管禁止反向击穿

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第2题
硅二极管正常工作时正向电压降为()V,锗二极管正向电压降为()V。

硅二极管正常工作时正向电压降为( )V,锗二极管正向电压降为( )V。

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第3题
对于二极管,以下说法不正确的是 。

A.二极管加正向电压时,二极管就导通

B.二极管的反向饱和电流的大小受温度影响大

C.二极管的正向导通压降,硅管比锗管高

D.同样外部条件下,硅管的反向饱和电流比锗管小

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第4题
以下说法错误的是()。

A.稳压管工作在反向特性区

B.常温下本征半导体几乎完全不导电

C.锗二极管的开启电压比硅二极管低

D.二极管方程不仅适用于描述二极管的正向特性,也适用于描述其反向特性

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第5题
为什么二极管具有单向导电性?硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少?
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第6题
硅二极管的正向电阻()锗二极管的正向电阻。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无法确定

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第7题
为什么二极管具有单向导电性?硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏?
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第8题
锗二极管导通时的正向压降约为 V ,硅二极管导通时的正向压降约为 V
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第9题
硅二极管的正向压降约为___V,锗二极管的正向压降约为___V()。

A.0.5,0.25

B.0.5,0.35

C.0.7,0.25

D.0.7,0.35

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第10题
下列哪项不正确

A.锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小

B.锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点

C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加

D.二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通。

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第11题
用万用表测得的二极管正向电阻值是60Ω,则此管属于()二极管。

A.硅

B. 锗

C. 铜

D. 铝

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