题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

以下关于离子注入优点的选项中，（)的说话是错误的。

A.离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。

B.横向扩散现象很小

C.很好的杂质均匀性

D.注入杂质的纯度高，属于低温工艺

提问人：网友文旻昊 发布时间：2022-01-07

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ABCD

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第1题

以下关于光纤的说法中,错误的是()。

A.单模光纤采用LED作为光源

B.单模光纤的纤芯直径更细

C.多模光纤比单模光纤的传输距离近

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第2题

离子注入方法中的离子源是在一定真空度（低压）下，采用由（）源产生的电子轰击杂质气体分子或原子，粒子(原子或分子）离化产生离子。

A、汞灯

B、热钨丝

C、紫外线

D、X射线

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第3题

以下选项中，（）选项不属于离子注入设备中的质量分析器（也叫磁分析器）的作用。

A、将产生的离子引出

B、选择注入所需的杂质成分

C、对注入离子束起到纯化的作用

D、只有合适的荷质比的离子才能通过狭缝被选择

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第4题

下面杂质种类中（）属于替位式扩散。

A、Cu

B、P

C、Au

D、Fe

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第5题

扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（）法测试。

A、四探针法

B、C-V法

C、热探针法

D、磨角染色法

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第6题

下面（）选项中不是造成扩散过程中不均匀性的原因。

A、杂质的浓度

B、衬底材料本身的差异

C、恒温区的温度波动

D、杂质蒸汽压的不稳定

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第7题

抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。

A、偏转注入或倾斜硅片

B、在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化

C、提高离子注入的速度

D、衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层）

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第8题

掺杂在半导体生产中的作用有（）。

A、形成PN结

B、形成电阻和形成欧姆接触

C、形成双极形的基区、发射区、集电区，MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂

D、形成电桥作互连线

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第9题

离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求，其两个重要参数是（）和（）。

A、注入时间

B、工作温度

C、注入能量

D、注入剂量

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