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[主观题]

晶格常量为 的一维晶格,当外加10^2 V /m和10^7 V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到

晶格常量为

晶格常量为 的一维晶格,当外加10^2 V /m和10^7 V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运

的一维晶格,当外加10^2 V /m和10^7 V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到能带顶所需要的时间。

提问人:网友18***469 发布时间:2022-01-07
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第1题
晶格常量为[图]的一维晶格,当外加[图]和[图]电场时,试...

晶格常量为晶格常量为[图]的一维晶格,当外加[图]和[图]电场时,试...晶格常量为的一维晶格,当外加和电场时的一维晶格,当外加晶格常量为[图]的一维晶格,当外加[图]和[图]电场时,试...晶格常量为的一维晶格,当外加和电场时晶格常量为[图]的一维晶格,当外加[图]和[图]电场时,试...晶格常量为的一维晶格,当外加和电场时电场时,试求电子由能带底运动到能带顶所需要的时间。

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第2题
晶格常量为2.5的一维晶格,当外加102V/m和107V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到能带顶所

晶格常量为2.5

晶格常量为2.5的一维晶格,当外加102V/m和107V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到能的一维晶格,当外加102V/m和107V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到能带顶所需要的时间。

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第3题
晶格常数为的一维晶格,当外加102V/m和107V/m电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间。(1=10nm=1

晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m和107V/m电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间。

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第4题
晶格常数为0. 25nm的一维晶格,当外加102V/m, 107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

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第5题
已知一维晶格中电子的能带可写成 式中a是晶格常量,m是电子的质量,求: (1)能带宽度; (2)电
已知一维晶格中电子的能带可写成 式中a是晶格常量,m是电子的质量,求: (1)能带宽度; (2)电

已知一维晶格中电子的能带可写成

已知一维晶格中电子的能带可写成 式中a是晶格常量,m是电子的质量,求: (1)能带宽度; (2)电已

式中a是晶格常量,m是电子的质量,求:

(1)能带宽度;

(2)电子在波矢k状态的速度;

(3)能带底部和能带顶部的有效质量.

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第6题
晶格常数为a的一维双原子链,倒格子基矢的大小为()。

A.a

B.2a

C.Π/a

D.2Π/a

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第7题
对于一维单原子链模型,其晶格常数为a,则格波的最小正周期为多少?

A.π/2a

B.π/a

C.2π/a

D.4π/a

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第8题
设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量EC(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:m0⌘

设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量EC(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量EC(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:m0⌘设m0为电子惯性质量,设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量EC(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:m0⌘设。试求:

(1)禁带宽度:

(2)导带底电子有效质量:

(3)价带顶电子有效质量;

(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

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第9题
(第1 章习题1)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量ec(k)和价带极大值附近能量ev(k)分别为

(第1 章习题1)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为(第1 章习题1)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量ec(k)和价带极大值附近能量ev(k(第1 章习题1)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量ec(k)和价带极大值附近能量ev(k,式中,m0为电子惯性质量,k1 = π/a,a = 0.314 nm。试求:(1) 禁带宽度;(2) 导带底部电子有效质量;(3) 价带顶部电子有效质量;(4) 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

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第10题
一维晶体的电子能带可写为式中a为晶格常数,试求(1)布里渊区边界:(2)能带宽度;(3)电子在波矢k状

一维晶体的电子能带可写为一维晶体的电子能带可写为式中a为晶格常数,试求(1)布里渊区边界:(2)能带宽度;(3)电子在波矢k式中a为晶格常数,试求

(1)布里渊区边界:

(2)能带宽度;

(3)电子在波矢k状态时的速度;

(4)能带底部电子的有效质量mn+;

(5)能带顶部空穴的有效质量mp+;

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