晶格常量为 的一维晶格,当外加10^2 V /m和10^7 V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到
晶格常量为
的一维晶格,当外加10^2 V /m和10^7 V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到能带顶所需要的时间。
晶格常量为
的一维晶格,当外加10^2 V /m和10^7 V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到能带顶所需要的时间。
晶格常量为2.5
的一维晶格,当外加102V/m和107V/m的电场时,试分别估算电子自能带底运动到能带顶所需要的时间。
晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m和107V/m电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间。
已知一维晶格中电子的能带可写成
式中a是晶格常量,m是电子的质量,求:
(1)能带宽度;
(2)电子在波矢k状态的速度;
(3)能带底部和能带顶部的有效质量.
设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量EC(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:m0为电子惯性质量,。试求:
(1)禁带宽度:
(2)导带底电子有效质量:
(3)价带顶电子有效质量;
(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
(第1 章习题1)设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为和,式中,m0为电子惯性质量,k1 = π/a,a = 0.314 nm。试求:(1) 禁带宽度;(2) 导带底部电子有效质量;(3) 价带顶部电子有效质量;(4) 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
一维晶体的电子能带可写为式中a为晶格常数,试求
(1)布里渊区边界:
(2)能带宽度;
(3)电子在波矢k状态时的速度;
(4)能带底部电子的有效质量mn+;
(5)能带顶部空穴的有效质量mp+;
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