单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A、空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B、对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C、平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D、平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

此题为判断题(对，错)。

在半导体pn结的空间电荷区分布有正、负离子,n区内是正离子,p区内是负离子，两区内的电荷量相等，如习题7-23图所示。取x轴的原点在pn结的交界面上,p区的范围和n区的范围,其电荷的体分布为ρ(x)=-eax,式中a为常量。试证明该电荷区的电场分布为，并画出ρ(x)和E(x)随x变化的曲线。( 提示;把pn结看成是一对带正、负电荷的无限大平板。)

A、发射结正偏电压变化

B、集电结反偏电压变化

C、基区少子浓度梯度变化

D、发射结势垒宽度变化