题目内容 (请给出正确答案)
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
[主观题]

IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

A、GTR驱动的MOSFET

B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管

D、MOSFET驱动的GT0

提问人:网友Dym112233 发布时间:2022-01-07
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第1题
IGBT管是由哪两种器件复合而成的( )。

A、MOSFET和GTR

B、GTR和GTO

C、GTO和MOSFET

D、MCT和MOSFET

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第2题
上海地铁AC01/02型列车的辅助逆变器DBU15.1中同时采用了()和升压式变换电路。

A. 升压电路

B. 降压电路

C. 升压式斩波电路

D. 降压式斩波电路

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第3题
使MOSFET开通的驱动电压一般为 V,使IGBT开通的驱动电压一般为 V。关断时施加一定幅值的负驱动电压以利于减小 和关断损耗。
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第4题
SCR是全控型器件。
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第5题
IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();

A. 输出饱和压降低;

B. 输入阻抗高;

C. 开关速度高;

D. 通态度损耗小;

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第6题
IGBT是()和()的复合管。

A、SCR,GTR

B、MOSFET,GTR

C、SCR,MOSFET

D、GTO,MOSFET

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第7题
功率MOSFET对驱动电路的要求是()。

A. 驱动信号的前后沿陡峭

B. 驱动信号的电压应高于开启电压

C. 信号电压应低于栅源击穿电压

D. 截止时应加小于栅源击穿电压的电压

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第8题
下图所示电力电子器件符号,其名称为? [图]A、普通晶闸...

下图所示电力电子器件符号,其名称为?

A、普通晶闸管

B、双向晶闸管

C、逆导晶闸管

D、光控晶闸管

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第9题
为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,恒流驱动电路经常采用( )

A、du/dt抑制电路

B、抗饱和电路

C、di/dt抑制电路

D、吸收电路

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