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[单选题]

下列关于数据传输率,表述错误的是()

A.数据传输率等价于带宽,指的是单位时间内数据的传输量。

B.数据传输率等于数据传输的位宽除以传输周期。

C.数据传输率等于数据传输的位宽乘以传输频率

D.数据传输率的单位可以表示为IPS,bPS和MBPS。

提问人:网友likeqin123 发布时间:2022-01-07
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第1题
下列关于信道容量的叙述,正确的是( )。

A.信道所允许的最大数据传输率

B.信道所能提供的同时通话的路数

C.以兆赫为单位的信道带宽

D.信道所允许的最大误码率

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第2题

A、最大

B、最小

C、无穷大

D、以上答案均不正确

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第3题

A、并行数据传输率

B、有效数据传输率

C、突发数据传输率

D、持续数据传输率

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第4题
下列关于存储器的各项叙述,正确的是( )

A、静态存储器依靠电容来存储信息,不需要刷新,需要电源供电才能保存信息。

B、动态存储器依靠双稳态电路来存储信息,需要定时刷新

C、硬盘属于磁表面存储器,能长期保存数据,读数据的操作是非破坏性读出。

D、移动硬盘是一种半导体存储器,能保存大量的数据。

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第5题
下列对于RAM和ROM,描述错误的是( )

A、两者都属于半导体存储器类型。

B、两者都采用随机访问方式,访问时间和存储单元的地址码无关。

C、主存属于是一种RAM型的存储器

D、可以从ROM存储器读数据,但任何条件下都不能对ROM存储器写入数据。

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第6题
下列适合用做Cache的存储器是( )

A、静态存储器

B、动态存储器

C、磁存储器

D、光存储器

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第7题
下列各种存储单元的电路中,读数据时属于破坏性读出的存储是( )

A、双极型存储单元

B、静态MOS型六管存储单元

C、动态MOS四管存储单元

D、动态MOS型单管单元

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第8题
对下列几种ROM芯片,描述正确的是( )

A、PROM型存储芯片支持数据的写入操作,可对其多次写入数据

B、FLASH芯片,可以实现芯片级、也可以实现比特级的数据擦除。

C、EPROM存储芯片,采用电擦除方式,只能实现芯片级的数据擦除。

D、EEPROM存储芯片,采用紫外线擦除方式,能实现芯片级和比特级的数据擦除。

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第9题
下列关于动态存储器刷新方式,错误的表述是( )

A、按芯片存储单元的矩阵进行刷新,每个存储单元逐一分别刷新。

B、刷新本质上是对存储单元进行数据重写,由刷新电路自动执行。

C、刷新1行的时间称为刷新周期,它由芯片矩阵的行数和最大刷新间隔决定。

D、集中刷新的缺点是容易形成内存访问的时间死区,异步刷新既可以避免访存死区,还能提高刷新操作安排的灵活性。

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第10题
下列各类并行存储器中,能比较经济地实现流水式并行访存的是( )

A、单体多字的并行存储器

B、顺序编址的多体并行存储器

C、交叉编址的多体并行存储器

D、以上三种存储器都不适合。

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